Ruoff

作者发展了一种樟脑辅助的冷缩剥离方法，制备了独立支撑的大面积（直径4.2 cm）纳米膜，厚度在16到48nm范围内可控 （图1）。用樟脑替代了传统聚合物，避免了转移过程中残留聚合物的污染；樟脑同时承担界面剥离的作用，规避了金属盐的污染。

作者探索了在单晶Cu-Ni(111)箔上从乙烯前体生长的石墨烯薄膜的起皱/褶皱过程，确定了临界生长温度（1030 K），高于该温度将在随后的冷却过程中自然形成褶皱。通过将初始生长温度限制在1000 K和1030 K之间所获得的薄膜显示出高度均匀的传输特性：由这些薄膜制备的场效应晶体管（GFETS）对空穴和电子的平均室温载流子迁移率约为(7.0±1.0)×103 cm2V-1 s-1。该过程允许在平行堆叠的多个箔上同时生长相同质量的石墨烯，并且箔片本身可以基本上无限期地重复使用。

韩国蔚山国立科技大学的Rodney S. Ruoff教授团队在《Carbon》期刊发表名为“Graphene Oxide Aerogel ‘Ink’ at Room Temperature, and Ordered Structures by Freeze Casting”的论文，研究提出一种简单的“drop-by-drop”沉积方法，可在室温下制备氧化石墨烯 (GO) 水凝胶。