CVD

中科院宁波材料所表面事业部功能碳素材料团队开发了一种绿色环保、无需转移、且能在较低温度下制备单层高质量石墨烯的方法，并在表面粗糙不平的透明电极进行了应用。利用该技术已获得可直接在石英片表面生长的无需转移的高质量单层2.5英寸晶圆级石墨烯薄膜。

没错，从现在起，制备石墨烯就是这么简单：从装置的一端通入常见且廉价的天然气，在装置的另一端就会源源不断地产生出高质量的“黑色黄金”石墨烯。这就是由于庆凯教授提出的制备石墨烯的新设想，电子科技大学基础与前沿研究院2013级博士生唐永亮实现了该设想。

一个明显令人困惑的问题是，既然氢气是石墨烯生长的副产物，为何需要在生长过程中额外添加氢气。这一问题至今仍没有合理的解释，因此了解氢气在石墨烯生长过程中所扮演的角色是理解整个CVD生长机理的关键所在。

刘开辉课题组利用CVD（气相沉积法）在1000oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60μm/s。这项重要突破的核心是把多晶铜片放置于氧化物衬底上（两者之间的间隙约为15μm）。

玻璃与石墨烯，其一作为传统材料的代表之一，人们日常生产生活中随处可见；其一却是最典型的新材料，由学术界、产业界及金融界的先行者描绘的宏大蓝图目前还如同空中楼阁，暂时只有少数人才能触及。如果这两种材料结合在一起，究竟能擦出怎样的火花呢？

该篇论文回顾了铜基底化学气相沉积（CVD）法制备大面积石墨烯薄膜的发展进程，主要包括相关的各种CVD技术、石墨烯生长机制与动力学、制备大面积石墨烯单晶的方法、石墨烯的转移技术等，并针对该技术目前所面临的挑战及前景进行了讨论。

中航工业航材院率先突破制备大尺寸、高质量石墨烯膜的技术难题，使大尺寸、高质量石墨烯膜的工程化制备成为现实，标志着中国石墨烯研究进入了“膜时代”。而开创石墨烯“膜时代”的人，正是中航工业航材院石墨烯及应用研究中心何利民博士。