黎大兵

阐明了高温退火过程中的生长机制，从而产生具有出色均匀性、理想晶体质量的晶圆级石墨烯图案，并通过消除含氧树脂中挥发物的释放来精确控制层数。该生长策略能够制造基于石墨烯/n-AlGaN 异质结的 2 英寸光电人工突触器件阵列，该阵列模拟生物突触的关键功能，包括短期可塑性、长期可塑性和尖峰速率依赖性可塑性。此外，人脑中视觉学习的模仿归因于兴奋性和抑制性突触后电流的调节，遵循在记忆形成之前优先考虑初始识别的学习规则。长期记忆的持续时间达到 10 分钟。图案化石墨烯的原位生长策略代表了制造人工神经形态系统基础硬件的新颖性。