魏星
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上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破
团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台,依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题,实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。
团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台,依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题,实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。
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