高鹏

  • 高鹏、刘开辉等利用电镜测量转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁

    该研究表明,即使在二维绝缘体和半金属材料之间的转角异质界面(如h-BN和石墨烯)中,也可能由于层间的摩尔势的作用,使跃迁能量随转角变化而改变,甚至诱发新的层间跃迁。因此,在类似包含二维异质界面的器件中,这些界面耦合效应应该被仔细考虑,以防止产生意外的跃迁途径或导致材料本身跃迁能量的移动,从而影响到器件性能和测量结果。此外,h-BN/石墨烯异质结构的转角关联使其层内和层间的跃迁能量连续可调,为制造具有指定波长的新型二维光电器件创造了可能的条件。

    2023年7月9日
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  • Nano Lett. | 石墨烯远程异质外延的原子尺度机理 — 高鹏教授、刘忠范院士、刘志强研究员、杨身园副研究员

    研究团队在原子尺度上揭示了利用远程异质外延方法制备低应力、低位错密度薄膜的物理过程,在此基础上成功制备了高In组份黄光LED。本文为高质量功能材料薄膜的远程异质外延提供了策略参考,为先进电子器件和光电器件的性能提升创造了更好的平台。

    2022年4月24日 科研进展
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  • 应变弛豫新模式:石墨烯驱动的异质外延“应变预存储工程”

    该研究表明,通过石墨烯插入层控制AlN成核的密度和形貌,在初始生长过程中向外延系统内预存储较大的张应变,可成功实现对AlN/蓝宝石本征压应变的补偿,从而得到无应变的AlN薄膜。同时,以得到的高质量无应变AlN为模板,制备了具有优异光电性能的DUV-LED器件。这项工作揭示了AlN在大失配衬底上准范德华外延生长的内在机制,无疑为进一步推动氮化物基器件的高性能制造提供了重要启示。

    2022年4月9日 科研进展
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  • 北京大学物理学院高鹏教授课题组揭示氮化物异质结界面声子输运机制

    当前,信息技术的高速发展对半导体器件的热管理提出了更高的要求:一方面需要使用更好的散热材料(如石墨烯、金刚石等),另一方面需要降低接触界面热阻。对于小尺寸的高功率器件而言,界面的导热能力实际上已经成为制约器件性能提升的瓶颈,因此,研究其界面导热机制尤其重要。在半导体器件中,界面热导主要是由异质结界面附近的几个原子层产生的界面声子决定的。但目前人们对界面声子如何影响界面热导知之甚少,主要原因是缺乏有效实验测量界面热或声子的手段。

    2022年2月28日
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  • 刘忠范院士团队Sci. Adv.:晶圆尺寸准单晶石墨烯薄膜的直接生长

    近日,刘忠范院士团队自主设计研发了电磁感应加热石墨烯甚高温生长设备,并借助此设备在c面蓝宝石上直接生长出了由取向高度一致、大晶畴拼接而成的晶圆尺寸单层石墨烯薄膜。

    2021年11月22日 科研进展
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  • 北京大学物理学院量子材料科学中心高鹏研究员与合作者首次在玻璃衬底上异质外延出准单晶氮化镓薄膜

    研究人员基于范德华外延机制的考虑,在生长氮化物之前首先在玻璃上铺一层石墨烯,借助石墨烯晶格的引导作用,辅以纳米柱为缓冲层的策略,有效地在玻璃上实现了对氮化镓取向的控制,以及玻璃上氮化物面外取向完全一致、面内取向也由传统的完全随机性被限制成仅为三种,从而得到晶界种类只有三种且密度很低的准单晶薄膜。

    2021年8月17日
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  • 刘忠范院士:我国石墨烯玻璃晶圆氮化物材料外延取得“0到1”的原创性突破

    记者从北京石墨烯研究院获悉,近期中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范、中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作,提出了一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),国际上首次在玻璃衬底上成功“异构外延”出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备蓝光发光二极管(LED)。相关成果7月30日发表于《科学》子刊《科学·进展》。

    科研进展 2021年8月1日
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  • 营口市首届营商大会:游子“扎堆儿”回乡寻商机

    “以前回来是探亲,这次回来是寻找商机。”首届营商大会期间,营口籍从事石墨烯科技行业的高鹏从四川回到家乡,对返乡兴业充满信心。他说,过去,我们是出去找发展机遇,现在家乡就是我们创业最大的舞台。乡情是难以割舍的情怀,新一轮东北经济振兴,在差不多条件下,我们肯定会优先选择在家乡营口发展。这次回来,还带回来几个在外地合作的好朋友,让他们来看看营口城市和营商环境的发展变化,我希望他们和我一起回来投资,寻找到合作商机。

    2018年4月3日
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