马雷

首先采用CVD法生长石墨烯，利用光刻和电子束蒸发技术在硅/二氧化硅衬底上制造铬金电极。之后将PMMA旋涂到预生长有石墨烯的铜箔表面。将铜/石墨烯/PMMA浸入过硫酸钾溶液中，直到铜箔被完全刻蚀。之后，将带有PMMA层的石墨烯转移到电极上。随后，将样品浸入丙酮中以去除大部分PMMA，少部分仍会在表面残留。接下来用光刻胶覆盖石墨烯和残留的PMMA层，之后用氧等离子体反应离子蚀刻精确去除沟道区域外的石墨烯。在此图案化过程中，由于该蚀刻过程产生的能量，通道区域中石墨烯表面的PMMA发生交联。随后，将光刻胶掩模溶解在丙酮中，露出石墨烯/交联PMMA层。最后使用光刻胶作为绝缘层，防止测试过程中出现短路情况。

在本研究中，根据提出的方案，使用 AZ5214 通过电子束直写成功制备了高性能三维石墨烯电极。系统研究了所制备电极的电特性与各种制备参数的关系，包括束流能量、剂量和前驱体浓度。