陈长鑫
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上海交通大学陈长鑫研究组在《Nature Electronics》上发表最新研究成果
上海交通大学陈长鑫教授研究组与斯坦福大学Hongjie Dai (戴宏杰)教授、美国SLAC国家加速器实验室Wendy L. Mao教授研究组合作发展了一种通过高压和热处理将碳纳米管(CNT)压扁的方法以制备宽度低于10 nm的有着原子级光滑闭合边缘的半导体性GNR。
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压扁碳管,Nature Electronics!上海交大陈长鑫等人发展原子级光滑边缘的石墨烯纳米带!
关键问题在于:高质量的石墨烯纳米带的制备很困难,其中的问题包括难获得宽度很窄且边缘光滑的纳米带,而且纳米带的边缘和表面缺陷位点会导致石墨烯纳米带无法形成足够大的能带间隙。总之,制备具有光滑边缘、较大带隙、高迁移率的窄且长的石墨烯纳米带仍具有很大的难度。
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迈向石墨烯半导体!上海交大教授制备原子级光滑的闭合边缘石墨烯纳米带,宽度可小至亚5纳米 | 专访
研究团队通过使用一种高压和热处理的方法将碳纳米管压扁制备亚 10 纳米宽的长的石墨烯纳米带,其具有原子级光滑的闭合边缘。通过该方法,在使用的特定碳纳米管样品中大约 54% 的单壁和双壁碳纳米管可被转化为边缘闭合的石墨烯纳米带。