西安电子科技大学

该工作提出了一种基于铁电掺杂石墨烯的新型片上光学忆阻器。通过铁电薄膜聚偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)对集成在氮化硅（SiN）波导上的石墨烯进行电学栅控。在移除最初施加在铁电层上的电压脉冲后，铁电薄膜与石墨烯的界面处会保留较大的剩余极化，从而对石墨烯形成静电掺杂，使其保持一定的载流子密度和非易失性调控的折射率。因此，混合石墨烯-SiN波导的传输损耗和相位延迟的调制状态得以保持，实现了光振幅和相位忆阻器的功能。

西安电子科技大学Xiaozhou Lü等研究人员在《Adv Mater Technol》期刊发表论文，研究提出了一种具有超宽压力检测范围和高稳定性的柔性导电还原氧化石墨烯（rGO）/热塑性聚氨酯（TPU）多孔泡沫。