蔡传兵
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上海大学蔡传兵Carbon:常压化学气相沉积法制备铜箔上双层石墨烯及其对电气性能的影响
在这项研究中,科学家们通过 APCVD 方法在高纯度无氧铜箔(HP – OFC)上生长 BLG,以探索提高铜导电性的方法,并深入研究了其内在机制。他们首先对 HP – OFC 箔进行清洗和抛光处理,以去除表面氧化物和有机物,然后进行退火和 CVD 生长石墨烯的实验。
在这项研究中,科学家们通过 APCVD 方法在高纯度无氧铜箔(HP – OFC)上生长 BLG,以探索提高铜导电性的方法,并深入研究了其内在机制。他们首先对 HP – OFC 箔进行清洗和抛光处理,以去除表面氧化物和有机物,然后进行退火和 CVD 生长石墨烯的实验。
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