董际臣

在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，化学所有机固体院重点实验室刘云圻院士团队相关科研人员长期围绕石墨烯等二维材料的可控制备及性能开展研究，并取得了系列成果（ACS Nano 2018, 12, 1778–1784; Adv. Mater. 2019, 31, 1805582; ACS Nano 2020, 14, 9320–9346)。

近日，中科院化学研究所刘云圻院士，董际臣研究员，武斌研究员报道了提出了一种循环电化学抛光和热退火相结合的方法，可以将商用多晶Cu箔转化为单晶Cu(111)，成品率几乎为100%。然后展示了一种“自下而上刻蚀”的方法，该方法通过在Cu(111)表面上大面积生长的石墨烯单层下面选择性地刻蚀底部多层石墨烯，从而制备出大面积无多层的纯单晶石墨烯单层。

本篇通过近平衡液相生长法，在非常低的单体浓度下，通过邻二胺和邻二酮之间的自发缩聚，合成了化学稳定的吡嗪融合的二维BPT-COF 和PT-COF材料。该方法允许组装COFs和COF-GO杂化材料，并通过真空过滤方法，在任意基底上组装均匀的导电膜。

该过程是通过邻二胺和邻二酮之间的自发缩聚来实现，并且在很低的单体浓度下是由COF结构域的不平衡增长驱动。该方法可以实现COFs和COF-GO杂化材料的原位组装，并通过真空过滤在任意衬底上形成均匀的导电膜。