胡麟

研究团队以氮化铝薄膜生长在石墨烯上为例，利用多尺度的理论计算和连续介质模型推导，系统研究了氮化铝薄膜在平面内和垂直于平面方向生长动力学过程。他们发现氮化铝与石墨烯的界面存在一种新型的成键方式，即杂化范德华相互作用。这样一种独特的成键方式使得薄膜生长呈现出显著区别于传统模式的新范式，被命名为HVE模型。在HVE模型下，材料平面内和平面外的生长会较强的耦合在一起，并满足一定的物理约束条件，而这个约束条件也受到界面相互作用的影响。