田松

HfCnw-CF/GA的电磁干扰屏蔽机理以吸收为主，具有多重损耗，包括多孔结构引起的多重反射、导电网络中电子传输或跃迁引起的电导损耗以及HfCnw-CF/GA内部丰富的多重界面引起的界面极化损耗。这项研究表明，HfCnw-CF/GA 复合材料有望成为高性能电磁屏蔽材料，应用于电磁干扰领域的各种应用。