甘雪涛

该工作提出了一种基于铁电掺杂石墨烯的新型片上光学忆阻器。通过铁电薄膜聚偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)对集成在氮化硅（SiN）波导上的石墨烯进行电学栅控。在移除最初施加在铁电层上的电压脉冲后，铁电薄膜与石墨烯的界面处会保留较大的剩余极化，从而对石墨烯形成静电掺杂，使其保持一定的载流子密度和非易失性调控的折射率。因此，混合石墨烯-SiN波导的传输损耗和相位延迟的调制状态得以保持，实现了光振幅和相位忆阻器的功能。

2LM与1LG之间的层间电荷转移和2LM中电荷分布的不平衡导致了二阶超极化所需要的中心对称性破缺，这一点通过第一性原理计算、拉曼光谱和偏振分辨SHG得到了验证。2LM/1LG的SHG强度与单层MoS2的强度具有相同的量级，具有较强的二阶非线性。层间电荷转移可以有效地改变2D异质结的对称性和非线性光学性质。

近日，西北工业大学甘雪涛教授在 Nano Letters 上发表了利用氧气-水分子控制双层石墨烯（BLG）不对称电荷掺杂实现中心反演对称性破缺和强SHG的研究工作。研究团队发现，对原始BLG进行退火处理后，氧和水分子吸附在BLG与亲水性二氧化硅界面上，引起BLG层间内建电场和中心反演对称破缺。所获得的BLG上SHG强度与单层二硫化钼的SHG强度相当，表明氧气-水分子吸附并通过氧化还原控制的BLG上电荷掺杂是打破BLG中心反演对称性的有效方法。