王文栋

为此，北京石墨烯研究院（BGI）通用石墨烯薄膜课题组从大尺寸Cu(111)单晶箔材衬底制备、石墨烯外延取向控制两个方面开展研究，揭示了铜晶粒长大过程中晶界角度对晶界迁移的作用，发展了强织构诱导的Cu(111)异常晶粒长大技术，实现了A3 (0.42×0.3m2)尺寸单晶Cu(111)箔材的制备；与中国科学技术大学李震宇教授课题组合作，揭示了痕量氧在增强石墨烯边缘与Cu(111)衬底相互作用、消除石墨烯30°转角孪晶等方面的作用，利用痕量氧修饰石墨烯边缘，实现了高取向一致度（99.9%）石墨烯的批量生长。