王志永

内置电场的存在促进了MoxW1-xS2光生电子空穴对的有效分离。此外，施加垂直外电场，可以动态调节MoxW1-xS2与石墨烯的接触类型，实现从n型肖特基接触向p型肖特基接触的转变。为基于MoxW1-xS2/G的光电器件的实验设计提供理论参考。