王中林

近日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士和孙其君研究员团队通过集成摩擦纳米发电机与石墨烯/二硫化钼（MoS2）垂直异质结，构筑了摩擦电垂直场效应晶体管新器件（tribotronic VFET），该器件在垂直方向上具有纳米级沟道长度，并展现出较大电流开关比和较高的开态电流密度。

重点根据2D材料的特性、结构和器件集成方式对石墨烯基、类石墨烯基、过渡族硫化物基、主族金属硫化物基、合金和异质结基、以及压电/摩擦电驱动的晶体管基自供电传感器进行了详细介绍。同时对其在人体运动感知、能量收集、生物医学、环境监测和人工智能等方面的应用进行了总结和概括。