热整流

在本文中，我们研究了由SiO2和GaN交替组成的异质基底支撑的石墨烯内部的热整流。热流更容易从覆盖在SiO2侧的石墨烯转移到GaN侧。当冷浴温度保持在300k时，只改变了高温热浴的温度，最大TR率约为52%。TR率可由热源温度和尺寸调节，当热源尺寸为2 nm，温度在450 K以上时，TR率最高。声子态密度和参与率揭示了基底和位置对石墨烯中声子输运的影响。此外，能量密度谱分析证实了基底效应导致石墨烯弯曲声子模的移动和声子谱的重构，与PDOS吻合,进一步解释了TR散射率和局部化程度的基本机制。