清华大学

通过施加原位栅极电压调控的方法，首次揭示了转角单-双层石墨烯中，外电场的方向对平带电子结构的双向选择性调控作用，即通过改变电场方向，使其平带电子结构更多体现了单层和双层石墨烯的特性。

首先详细介绍了材料合成技术和包括器件结构、介电和接触工程以及材料转移在内的晶体管制造工艺。然后讨论了典型芯片领域的二维晶体管应用现状，包括数字和模拟电路、异构集成芯片和传感电路。此外，还介绍了基于特定机制器件的几种有前景的新兴应用方向(人工智能芯片和量子芯片)。最后，分析了二维材料在实现电路级或系统级应用时遇到的挑战，并进一步推测和展望了潜在的发展路线。

这种异质结构能够提供大量的接触面积，充分释放活性位点，加快电荷/离子传输。得益于花状结构硒化钴和高导电石墨烯之间的协同作用，所合成的复合电极材料表现出优于纯花状硒化钴和水热法所得硒化钴/石墨烯复合材料的除盐性能。电容去离子性能测试、吸附动力学计算和循环后的结构表征证实了这种异质结构在促进离子吸附和强化电荷/离子传输特性方面独特的优势。

AF_G 涂层良好的防/除冰性能主要归功于 AF1601 树脂的低表面能特性、喷砂铝板的粗糙结构、嵌入式纳米石墨烯裸边含氧官能团与水分子之间的氢键竞争效应以及 AF_G 涂层中嵌入式石墨烯卓越的光热效应之间的协同作用。

在激光诱导成型工艺中，基于石墨烯的光热效应和葡萄糖的发泡效应，利用红外激光照射葡萄糖/石墨烯/PDMS 预聚物薄膜，可获得具有多孔结构和表面突起的类肤质聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜。此外，基于带有石墨烯导电层的类肤质 PDMS 薄膜，还得到了一种新型类肤质柔性压阻传感器。

我们提出了一种简便的插层和压力烧结方法，可以仅制造和暴露石墨烯边缘。暴露边缘的量子电容与局域态密度 (DOS) 成正比，可用于生化传感。值得注意的是，由于一维石墨烯边缘的边缘电场增强和生物分子会聚，我们能够在几分钟内检测到 0.01 fg/mL 浓度的四种代表性氨基酸。这些在石墨烯边缘的创新量子电容测量方面取得的成就，与通过消除复杂的微纳米处理而实现的简单而稳健的器件制造相结合，为具有不断要求的灵敏度的下一代生化传感器提供了新的途径。

本研究基于简单的工艺制备了一种AF_G涂层，通过氟化树脂和嵌入式石墨烯纳米片的协同作用，增强了粗糙基板的防冰/除冰性能。与镜面铝板相比，所制备涂层的附冰强度降低了约97.0%，在无光条件下结冰时间延迟了26.6倍，在环境温度为-15 °C的 “1 个太阳 “条件下结冰时间延迟了46.3倍，从而证明了该涂层优异的防冰/除冰性能。