深圳大学

本综述详细阐述了闪蒸焦耳加热（FJH）技术在二维材料合成、金属回收、石墨和正极材料再生以及贵金属回收等方面的最新进展。FJH技术以其快速的加热和冷却能力、高能量利用效率、短合成时间以及显著降低的能耗，为二维材料的合成和电池材料的回收提供了新的解决方案。这些优势不仅为提高碱金属离子电池的能量密度和循环稳定性提供了新的思路，而且为推动FJH技术的产业化应用提供了理论依据。

本文的石墨烯箔材具有超高的导热系数，高达1400.8 W m-1 K-1，比Al和Cu箔高出约一个数量级。采用NCM811||石墨电极材料组装的软包电池具有更快的散热性能，能够有效消除电池内部的局部热集中，避免了快速放热的铝热反应和氢气析出反应，这些反应是导致铝集流体电池组热失控传播的关键因素。这种快速热响应和轻质的石墨烯集流体的设计将确保锂离子电池在安全范围内以更高的输出能量运行，并在极端恶劣的滥用条件下依旧保持安全。

研究了由1T-PdO2和石墨烯单分子膜组成的垂直异质结。结果表明，单分子膜和异质结都是能量和动态稳定的，声子谱中没有负频率，属于vdW型。1T-PdO2是一种间接带隙半导体，带隙值为0.5 eV（GGA）和1.54 eV（HSE06）。异质结的界面性质表明，在PdO2/石墨烯接触的垂直界面上，n型肖特基势垒高度（SBH）为负值，形成欧姆接触，这主要表明石墨烯具有与PdO2单分子膜有效电接触的潜力。然而，在平面内电流模型的基础上，横向界面出现了负的带状弯曲。此外，PdO2/石墨烯异质结在可见光照射下的光吸收明显增强

我们的策略不仅为电磁干扰屏蔽机制和材料的发展提供了启示，而且还显示出卓越的制造通用性、小外形尺寸和器件可靠性。这种复合结构不仅可以通过增加激光功率输出和光束尺寸来大规模制备，而且可以通过方便地调整前驱体和加工参数来调节其性质。它为复合复杂的纳米结构，实现多功能的先进应用开辟了新的范例。

我们展示了石墨烯基材料在锂电池中最新技术进展，强调并预测石墨烯基材料在实际锂电池中的潜在应用，来弥合学术进步和工业制造之间的差距，从而为加速石墨烯基材料和锂电池产业的发展铺平道路。

本研究开发了一种简便的电镀方法，用于快速制造轻质 GF@Cu，作为高性能 LIB 的集流体。与之前报道的物理气相沉积和无电解电镀制备复合电流收集器的方法相比，该方法具有经济高效和准工业化的特点。

石墨烯突触器件的最新进展主要分为三个部分：制备工艺、器件结构和光电类脑计算应用。首先，石墨烯突触器件的制备工艺主要包括石墨烯材料合成、转移和图案化三方面。另外，突触器件结构主要分为两种，即两端忆阻器和三端突触晶体管。最后，光电类脑计算应用涉及到，例如光逻辑计算、神经视觉系统和联想学习等。

研究设计并制备了一种独特的OCNTF/3D-rGO纤维，即在氧化CNTF上形成三维多孔网络状rGO框架，分别沉积纳米尺寸的MnO2和Fe2O3作为柔性电极，用于制造高性能、线状、全固态、柔性非对称超级电容器（FASC）。

所制备的石墨烯集流体具有大晶粒（61.18 nm）、高三维（3D）有序度（90.6% AB Bernal 堆积）和良好的层间排列，因此具有出色的轻质（1.57 mg cm-2）、优异的热导率（1531.7 W m-1 K-1）、高电导率（1.09 × 106 S m-1）、优异的柔韧性（30 000 次弯曲）和阻燃性。

本文证明了GEVI策略可以在各种2D半导体上实现强2D/2D/3D vdWs接触，具有原子级平坦且超洁净的界面。单层石墨烯在四个方面发挥了重要作用：i)从供体衬底释放金属，实现大规模、高分辨且可靠的转移，ii)与2D半导体的强耦合，用于粘附，原子级平坦且紧密的vdWs接触，iii)将2D半导体与金属电极隔离以消除MIGS，iv)改善电荷传输以实现高性能。作为一种低能量集成策略，GEVI在开发基于其他类型薄膜材料(例如碳纳米管、钙钛矿、有机半导体)的器件和与光刻或金属蒸发工艺不兼容的衬底方面显示出巨大的潜力。