洪果

作者开发了一种在快速充放电过程中将I2负载在rGO电极上的高效电镀方法，避免了I2的热不稳定性造成的活性物质损失。rGO的3D多孔结构和出色的导电性实现了I2的大负载(25.33mg cm-2)和快速动力学，在2 mA cm-2的电流密度下提供了6.5 mAh cm-2的高可逆容量。即使在80 mA cm-2的高电流密度下，仍保持1 mAh cm-2的容量。更重要的是，由于rGO的强吸附效应，I2和I3-可以牢牢地限制在电极内，有效地减少I活性物种的损失。作者还获得了最佳的ZnCl2/KI WIS电解质配方，以阻止I2从rGO电极中溶解并阻止I3-离子的扩散。因此，实现了显著抑制的穿梭效应和高达95 %的显著改善的CE。此外，在50mA cm-2下循环2000次后，获得了几乎100%容量保持率的优异循环稳定性。