沈鸿烈

利用DBC陶瓷板面朝下，可以在DBC薄膜上首先合成石墨烯薄膜。陶瓷板上的铜会在高温下熔化，石墨烯薄膜会直接附着在目标基板上。一步制备过程简单快捷。另一方面，通过面对面的方法可以制备厘米大小的高清洁度石墨烯薄膜。制备的石墨烯薄膜的迁移率约为 6400 cm2 ·V -1 ·S -1。作者相信这种方法将为在介电基板上合成石墨烯薄膜带来新的解决方案。

在这项工作中，证明了通过 PECVD 方法在基板上直接生长 VGN。这些发现为开发用于 EMI 屏蔽（包括数据通信、微电子设备和航空航天）的 VGN 及其复合材料铺平了道路。

近日，南京航空航天大学沈鸿烈教授，中科院上海微系统与信息技术研究所吴天如副研究员，以及山东大学蒋妍彦教授在ACS Applied Materials & Interfaces上合作发表了近室温条件下采用热丝化学气相沉积（HFCVD）制备垂直石墨烯纳米墙的研究。本文基于所观测到的衬底温度对石墨烯生长取向的诱导效应，进一步探究了近室温条件下垂直石墨烯的生长机理与热管理应用。