杨睿

多层石墨烯(MG)/WS2/Pt选择器包含两个具有不同肖特基势垒的非对称异质结，从而导致高度非线性和非对称的I-V特性。1S1R单元中的2D选择器可以成功驱动RRAM，将潜行路径漏电流降低100倍以上，并提供RRAM编写的限制电流。对1S1R单元进一步建模并将其集成到平面和3D存储阵列中并进行电路级仿真，结果表明在大型存储阵列中使用2D选择器可以降低高达86%的功耗，提高高达31%的读取/写入裕度，并避免写入失败。这种存储器件在构建3D高密度存储器和执行存内计算方面具有很高的潜力。