杨恺

研究应用自组装单层（SAM）来改变石墨烯和氧化物基底之间的界面，并缓解器件中的热问题。以 -NH2终止的SAM增强了石墨烯与基底之间的界面耦合强度，从而提高了界面热导率。以 -CH3结束的 SAM 能有效抑制基底声子散射，保持石墨烯的高面内热导率。特别是，-NH2端接的 SAM 显著提高了石墨烯场效应晶体管的散热效率，缓解了自热问题。器件的载流能力和最大功率密度分别提高了 28.1% 和 48.2%。我们的研究为在二维电子器件中加入SAM以改善热管理提供了一个极具吸引力的平台。