李震宇
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刘忠范院士团队 ACS Nano：A3尺寸石墨烯单晶薄膜的外延生长
为此，北京石墨烯研究院（BGI）通用石墨烯薄膜课题组从大尺寸Cu(111)单晶箔材衬底制备、石墨烯外延取向控制两个方面开展研究，揭示了铜晶粒长大过程中晶界角度对晶界迁移的作用，发展了强织构诱导的Cu(111)异常晶粒长大技术，实现了A3 (0.42×0.3m2)尺寸单晶Cu(111)箔材的制备；与中国科学技术大学李震宇教授课题组合作，揭示了痕量氧在增强石墨烯边缘与Cu(111)衬底相互作用、消除石墨烯30°转角孪晶等方面的作用，利用痕量氧修饰石墨烯边缘，实现了高取向一致度（99.9%）石墨烯的批量生长。
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中国科学技术大学李震宇教授做客山东大学前沿科学青年论坛
在报告中，李震宇教授围绕石墨烯生长机制的理论研究展开讲述。他指出，石墨烯是一种具有独特性能的重要材料，其中金属表面化学气相沉积（CVD）是制备高质量晶圆级石墨烯的一种很有前景的方法，因此为了提高样品质量，了解石墨烯生长过程中的原子细节是非常重要的。