李运勇

该工作设计了一种Ti3C2Tx MXene和石墨烯双封装Sb负极结构，具有3.1 g cm-3的高密度，和1560 S m-1的高电导率。该HD-Sb@Ti3C2Tx-G负极实现了大体积容量（0.1 A g–1时为1780.2 mAh cm–3）和高面积容量（31 mg cm-2时为8.6 mg cm–2）以及优越的容量保持率（0.5A g-1循环500次后为82%）。DFT计算表明，HD-Sb@Ti3C2Tx-G的吸附能远低于纯Sb的吸附能，这大大加快了K+的合金化过程。该工作为设计高体积容量和高面积容量的储能材料提供了一种有效方法。