李杨立志

11名博士分别就“基于衬底工程的石墨烯薄膜生长方法研究” “石墨烯玻璃纤维的可控制备与电磁性能研究” “石墨烯复合纤维材料的CVD制备方法与性质研究” “基于限域传质过程的石墨烯薄膜批量生长方法” “晶圆级单晶石墨烯的可控制备方法研究” “扭转双层石墨烯及其范德华异质结的拉曼光谱研究” “高密度单壁碳纳米管水平阵列晶圆的制备及高通量表征” “高品质碳纳米管的结构可控放量生长方法研究” “石墨双炔的控制制备与应用研究” “二维硒氧化铋及其单晶氧化物的可控转化与器件探索” “二维Bi2O2Se半导体的分子束外延生长与界面物性调控研究”等题目做了精彩的毕业论文答辩报告。

为此，北京石墨烯研究院（BGI）通用石墨烯薄膜课题组从大尺寸Cu(111)单晶箔材衬底制备、石墨烯外延取向控制两个方面开展研究，揭示了铜晶粒长大过程中晶界角度对晶界迁移的作用，发展了强织构诱导的Cu(111)异常晶粒长大技术，实现了A3 (0.42×0.3m2)尺寸单晶Cu(111)箔材的制备；与中国科学技术大学李震宇教授课题组合作，揭示了痕量氧在增强石墨烯边缘与Cu(111)衬底相互作用、消除石墨烯30°转角孪晶等方面的作用，利用痕量氧修饰石墨烯边缘，实现了高取向一致度（99.9%）石墨烯的批量生长。