晶体管

本文构建了一种基于DNA四面体纳米结构(TDN)辅助催化发夹组装(CHA)反应(TCHA)的GFET生物传感器，并将其应用于miRNA-21的灵敏和特异性检测。

近日来自美国加州圣芭芭拉分校的Kaustav Banerjee教授领导的研究团队在Nature上以The future transistors为题发表展望（Perspective）文章，总结了晶体管的发展历程，分析了晶体管的工作机制，并深入展望了未来晶体管的发展方向。

这篇综述介绍了各种基于二维半导体的场效应晶体管的逐步发展及其相对优势和设计挑战。与最先进的三维纳米级场效应晶体管相比，这些纳米级二维场效应晶体管在不影响操作速度的情况下，可以显著改善功耗。此外，通过适当的设计优化，这些纳米级二维场效应晶体管可以取代CMOS性能，实现低功耗、高性能设计。

研究成功地设计和制造了一个用于葡萄糖检测的基于皮肤的柔性凝胶电解质石墨烯晶体管（GEGT），该晶体管由用Au纳米粒子修饰的还原氧化石墨烯（AuNPs/RGO）纳米复合材料修饰的栅电极和单层石墨烯通道组成。用甘油凝胶代替传统的液体电解质，不仅能更好地贴合人体皮肤，还可以起到液体收集的作用，为传感器提供稳定的测试条件。

“Archer团队开发了一种基于石墨烯的晶体管，一种电子设备，对于生物应用来说，重要的是在液体中工作。晶体管由一块单原子厚的石墨烯片组成，作为一个超灵敏的传感器，旨在与在同一小型芯片上制造的其他生物功能区域一起工作，“Archer首席执行官Mohammad Choucair说。

在本研究中，研究人员展示了一种通过使用基于适配体的石墨烯亲和纳米传感器来检测和测量未稀释人类眼泪中生物标志物的新方法。石墨烯场效应晶体管（GFET）中的石墨烯导电通道由聚乙二醇（PEG）纳米层保护，其选择的厚度抑制了非特异性分子的吸附。

器件结构革新。开发量子器件、单电子器件、石墨烯器件、仿生类脑器件等。晶体管是集成电路的核心器件，最初的晶体管是双极型结构，后来金属氧化物半导体器件诞生，成为主流集成电路器件结构。现在，平面的金属氧化物半导体器件结构变为三维的鳍形栅结构，并正向环形栅方向发展。每一次器件结构革新，都会带来集成电路技术重大进步。量子器件和单电子器件是晶体管工作原理上的革新，石墨烯器件是晶体管材料的革新，仿生类脑器件则是模拟神经元人脑突触的器件。这种革新为集成电路的创新应用提供更多可能，如仿生类脑器件将为人工智能网络的应用插上翅膀。

Graphenea宣布，在其GFET S30发布后，它开发了一种High-K金属栅极（HKMG）制造工艺，用于在石墨烯或GFET上创建场效应晶体管（FET）结构。从 2022 年 2 月开始，此过程现已在专用 GFAB 服务下提供。

GBIRCAM团队创建了为基于GFET的超像素量身定制的读出集成电路(ROIC)，并使用Emberion提供的相机电子设备对其进行了测试。可见光和SWIR光敏像素均已在GFET像素上制造。因此，包括热释电薄膜传感器在内的不同构建模块已准备好集成到演示器和最终原型中。

IT之家了解到，专利摘要显示，该申请提供一种石墨烯场效应晶体管，涉及半导体技术领域，可提高器件输出电阻，从而提高开关比，实现更好的射频性能。一种石墨烯场效应晶体管，包括：衬底、第一栅电极、第二栅电极、第一栅介质层、第二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极。