易骏
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厦门大学AFM:热冲击退火精准制备SiC外延石墨烯
厦门大学田中群院士、易骏教授团队报道了一种热冲击退火(TSA)方法,该方法可以在SiC表面实现对高质量少层石墨烯的动力学可控的外延生长,且生长时间不到10 s,有效地满足了在SiC上生产高质量、少层和低成本石墨烯的需求。
厦门大学田中群院士、易骏教授团队报道了一种热冲击退火(TSA)方法,该方法可以在SiC表面实现对高质量少层石墨烯的动力学可控的外延生长,且生长时间不到10 s,有效地满足了在SiC上生产高质量、少层和低成本石墨烯的需求。
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