忆阻器

研究者使用直接激光写入(DLW)方法制备了基于Pt/GO/rGO结构的横向忆阻器，该结构具有超低功耗(200 nW)，成功模拟了突触STM特性，采用5×1的记忆阵列作为RC系统的存储部分结合5×10单层神经网络，实现了95.74%的数字识别准确率。