德国

来自哥廷根大学、路德维希·马克西米利安慕尼黑大学（Ludwig Maximilian University of Munich）和德克萨斯大学达拉斯分校（University of Texas at Dallas)）)的研究小组使用了天然形式的两层石墨烯。使用标准的微细加工技术接触精致的石墨烯薄片，薄片被定位，使其像一座桥一样自由悬挂，边缘由两个金属触点固定。极干净的双层石墨烯在低温和几乎不可探测的磁场下表现出电阻的量子化。此外，电流的流动没有任何能量损失。产生这种现象的原因是，这种形式的磁性不是由传统磁体中常见的方式(即电子固有磁矩的排列)产生的，而是由石墨烯双层内部带电粒子的运动产生的。

德国慕尼黑大学的R. Thomas Weitz教授和得克萨斯州大学达拉斯分校的Fan Zhang教授等系统地探索了电导为2 e2 h−1(其中e为电荷，h为普朗克常数)的双层石墨烯的状态。

1）石墨烯单层被嵌入MoS2层间以构建范德华异质结构 (MoS2/G VH)。该操作将离子通道的构建从原始的两个MoS2单层的层叠转变为MoS2单层与石墨烯单层的层叠，从而大大降低了离子扩散能垒。

为了应对这一挑战，一支来自德国慕尼黑工业大学（TUM）的研究团队使用于利希超算中心（JSC）和莱布尼茨超算中心（LRZ）的JUWELS和SuperMUC-NG高性能计算机（HPC）通过模拟在液态铜中生成石墨烯的过程，试图寻找能够快速制备石墨烯的新方法。

JMU的研究人员计划实现这样一种堆叠结构。它由金属石墨烯（底部）、绝缘的氮化硼（中间）和半导体的二硫化钼（顶部）组成。红点象征着氮化硼层中的一个单一自旋缺陷。该缺陷可以作为堆栈中的一个局部探针。