张西祥

研究者通过退火将放置在Al2O3(0001)上的多晶Cu箔转化为单晶Cu(111)薄膜，然后通过多循环等离子体蚀刻辅助化学气相沉积，在Cu(111)和Al2O3(0001)界面上实现石墨烯的外延生长。在液氮中浸泡后快速加热，Cu(111)薄膜容易膨胀脱落，而石墨烯薄膜在蓝宝石衬底上没有降解。在石墨烯上制备的场效应晶体管具有良好的电子输运性能和高载流子迁移率。这项工作打破了在绝缘衬底上合成晶圆级单晶单层石墨烯的瓶颈，有望为下一代基于石墨烯的纳米器件做出贡献。