张程

传统单组份GO忆阻器通常是离子迁移型忆阻器，一般采用活性金属（如银和铜）作为电极。尽管在器件运行过程中活性金属离子的迁移可以模拟钙离子在神经元中的扩散，但活性金属离子经常表现出高随机性、扩散性和低热力学稳定性，从而形成导电细丝的不可控形成和过度生长，大幅抑制器件的稳定性和可靠性。