张文静

本文证明了GEVI策略可以在各种2D半导体上实现强2D/2D/3D vdWs接触，具有原子级平坦且超洁净的界面。单层石墨烯在四个方面发挥了重要作用：i)从供体衬底释放金属，实现大规模、高分辨且可靠的转移，ii)与2D半导体的强耦合，用于粘附，原子级平坦且紧密的vdWs接触，iii)将2D半导体与金属电极隔离以消除MIGS，iv)改善电荷传输以实现高性能。作为一种低能量集成策略，GEVI在开发基于其他类型薄膜材料(例如碳纳米管、钙钛矿、有机半导体)的器件和与光刻或金属蒸发工艺不兼容的衬底方面显示出巨大的潜力。