张子豪
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微电子学院张嘉炜、宋爱民团队在高峰谷比的石墨烯共振隧穿二极管方面取得新进展
在遵循了该器件设计规则、遏制了边缘掺杂效应之后,本文制备的石墨烯共振隧穿二极管在室温下峰谷比高达14.9,为以往报道结果的至少3.8倍。该结果将有助于开发基于石墨烯室温量子器件的超高频振荡器等。
在遵循了该器件设计规则、遏制了边缘掺杂效应之后,本文制备的石墨烯共振隧穿二极管在室温下峰谷比高达14.9,为以往报道结果的至少3.8倍。该结果将有助于开发基于石墨烯室温量子器件的超高频振荡器等。
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