张其春

传统单组份GO忆阻器通常是离子迁移型忆阻器，一般采用活性金属（如银和铜）作为电极。尽管在器件运行过程中活性金属离子的迁移可以模拟钙离子在神经元中的扩散，但活性金属离子经常表现出高随机性、扩散性和低热力学稳定性，从而形成导电细丝的不可控形成和过度生长，大幅抑制器件的稳定性和可靠性。

香港城市大学张其春教授、郑州大学李朝辉教授和Rong‐Bin Song等人，从碳材料的组成和结构上的差异，系统总结了用于MFC阳极装饰的主要碳材料。此外，还概述了MFC中基于碳材料的混合生物膜和经碳材料修饰的外生电子，并讨论了已知的策略和机制，以提高基于碳材料的阳极的细菌宿主能力、EET效率和MFC性能。最后，还阐述了主要挑战以及一些探索性建议，以为MFCs中碳材料基负极的未来发展提供一些指导。