异质结

这种异质结构能够提供大量的接触面积，充分释放活性位点，加快电荷/离子传输。得益于花状结构硒化钴和高导电石墨烯之间的协同作用，所合成的复合电极材料表现出优于纯花状硒化钴和水热法所得硒化钴/石墨烯复合材料的除盐性能。电容去离子性能测试、吸附动力学计算和循环后的结构表征证实了这种异质结构在促进离子吸附和强化电荷/离子传输特性方面独特的优势。

在本报告中，通过简单的旋涂方法制备了新的p–p Se/RGO异质结，该异质结与RGO纳米片和高度结晶的p型硒微管（Se-MT）相结合。这一发现为具有独立检测功能的高性能宽带设备显示了巨大的前景。

我们团队利用分子束外延的生长方式，在可控热处理制备的Ru(0001)孪晶表面上，制备了石墨烯单晶结构，并通过硅插层技术，在Ru/石墨烯层间面制备出单层硅烯，得到不同转角的石墨烯/硅烯异质结(TGS)。我们通过扫描隧道显微镜和计算证实了异质结的存在，并对其结构进行了研究。

南京林业大学/林产化学工业研究所蒋剑春院士团队的范孟孟副教授与上海大学王亮教授团队开发了一种大规模合成石墨烯/六方形氮化硼（G/h‐BN）多孔异质结的新途径。

我们成功地制备了N-掺杂石墨烯调制的CoPc/g-C3N4纳米片(CoPc/NG/CN)异质结。相比于仅含CN时，优化的CoPc/NG/CN光催化剂在O2作为氧化剂时，对苯甲醇的氧化光活性提高了约4倍，对苯甲醛的选择性为~99%，对2,4 -二氯苯酚的降解率提高约9倍。

有鉴于此，近日，日本NTT基础研究实验室Wang Shengnan等展示了具有高纯度莫尔相的六方氮化硼(hBN)/石墨烯双层的一锅化学气相沉积生长。石墨烯在氢封端hBN模板下的外延插层导致聚合层间角小于0.5°。与大于0.5°的角度相比，接近0°堆叠角度的可能性几乎高出2个数量级。由于受到顶部hBN层的保护，与单层石墨烯相比，双层石墨烯的载流子迁移率显著增强。本文的研究工作提出了一种具有高均匀性和可控层间旋转的hBN/石墨烯双层的大面积制备方法，有望推动高质量vdW异质结的生产发展。