孙捷

• 北京工业大学《ACS AMI》：在300 °C下无转移CVD生长高质量晶圆级石墨烯，用于大规模制造器件

  为了保证碳自由基在低温下有足够的活性，作者设计了一个多区热CVD系统，并根据计算流体动力学（CFD）模型对每个加热区的温度进行了合理的校准。作为决定石墨烯薄膜质量的关键因素，研究了腔体压力和氢气流量。

  2022年11月17日 • 科研进展

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