孙志鹏

我们成功合成了零应变 NVPF@rGO/CNT 作为 SIB 阴极。即使不添加导电剂，NVPF@rGO/CNT 也能表现出超高的速率性能（60 C 时 101 mAh g-1）和卓越的循环稳定性（6000 次循环后，10 C 时容量保持率为 88.4%）。

本研究通过不同的合成策略控制NVPF1+2x的相组，并将其协同效应与rGO导电框架相结合，为NVPF1+2x正极材料提供了新的见解。