天津大学

首先采用CVD法生长石墨烯，利用光刻和电子束蒸发技术在硅/二氧化硅衬底上制造铬金电极。之后将PMMA旋涂到预生长有石墨烯的铜箔表面。将铜/石墨烯/PMMA浸入过硫酸钾溶液中，直到铜箔被完全刻蚀。之后，将带有PMMA层的石墨烯转移到电极上。随后，将样品浸入丙酮中以去除大部分PMMA，少部分仍会在表面残留。接下来用光刻胶覆盖石墨烯和残留的PMMA层，之后用氧等离子体反应离子蚀刻精确去除沟道区域外的石墨烯。在此图案化过程中，由于该蚀刻过程产生的能量，通道区域中石墨烯表面的PMMA发生交联。随后，将光刻胶掩模溶解在丙酮中，露出石墨烯/交联PMMA层。最后使用光刻胶作为绝缘层，防止测试过程中出现短路情况。

该器件具有超快且多级非易失性存储特性，特别是具有113.36 V的超大存储窗口，107的擦除/编程电流比，30 ns的超快工作速度，超过1000个周期的出色耐久时间和超过1100 s的保留性能。此外，该器件表现出电和光可调谐的多级非易失性存储器行为。通过控制电压和光脉冲参数，器件实现了130电平(>7位)的电存储状态和45电平(>5位)的光存储状态。

本文采用第一性原理计算系统研究了空位缺陷对双层石墨烯（Bilayer Graphene，BLG）层间相互作用的影响，以及石墨烯层间结合对石墨烯增强铜基复合材料界面结合、界面拉伸力学性能和滑移机理的影响。

改性 GQDs 具有作为高效基因载体的潜力。它们通过电荷和其他非共价相互作用紧密结合基因分子，大大提高了基因递送的效率，确保基因在细胞内顺利释放。这一创新策略为促进内皮细胞增殖提供了强有力的手段。

我们利用均匀涂覆 rGO 的铁泡沫制备了三维 rGO/IF 阳极。在这种阳极的基础上，铁离子可用作电子介质，并建立了一种结合了 MFC 和电镀电池组件的混合电池。混合电池的最大功率密度为 5330 ± 76 mW/m2，由 MFC 和电镀电池组件贡献，循环四次后的功率密度为 2107 ± 64 mW/m2。

大肠杆菌O157:H7的归一化电流响应比其他微生物高约一个数量级，表明该生物传感器具有良好的特性。未修饰的rGO FET传感器和用抗大肠杆菌O157:H7修饰的生物传感器在4℃保存30天后的电流损失率分别约为8%和15%。最重要的是，rGO-FET生物传感器可以直接检测真实样品而无需预处理。与其他技术相比，rGO-FET生物传感器可以在更短的时间内以更宽的线性范围检测病原微生物，这对于环境中病原微生物的快速预警和控制具有重要意义。

研究基于电磁波传输理论，本研究创新性地提出了获得超薄电磁波吸收材料的高衰减设计策略，并将硒化钴（CoSe2）确定为超薄吸收材料的重要组成部分。为了获得满足超薄吸收特性的介电参数范围并改善电磁波吸收材料的轻质特性，设计了一种CoSe2改性N掺杂还原氧化石墨烯（N-RGO/CoSe2）的复合材料。

在本研究中，根据提出的方案，使用 AZ5214 通过电子束直写成功制备了高性能三维石墨烯电极。系统研究了所制备电极的电特性与各种制备参数的关系，包括束流能量、剂量和前驱体浓度。

具体来说，我们的传感器在理论上实现了1.259 × 10-5 RIU/ppm的灵敏度，5.1 ppm的检测限和5135 ppm的检测范围。我们的研究有望为开发芯片集成、低成本、高灵敏度的光学气体传感器打开一扇门。