复旦大学

带正电荷的中空介孔二氧化硅（MSN-NH2）和带负电荷的氧化石墨烯（GO）通过静电组装复制了豆荚的结构。合成的微柱（MSN-NH2/GO 微容器）作为无毒指示剂和抑制剂 Phen 的大容量微容器，将 Phen 与环氧基质隔离，避免了不相容和早期泄漏。当 pH 值升高时，MSN-NH2 的表面电荷变为与 GO 相同的负电荷状态，导致静电斥力剥离并释放出封装的 Phen，模拟了豆荚成熟时的爆裂行为。这种触发释放模式保证了当局部 pH 值升高而发生腐蚀时，涂层中的微柱能释放出Phen，GO 既是控制 Phen 释放的阀门，又是抑制腐蚀性介质扩散的屏障。

复旦大学陆叶研究员，周鹏教授和万景研究员（共同通讯作者）等报道了一种由石墨烯/硅异质结漏极和硅沟道组成的垂直亚阈值摆动器件。

本研究通过钴MOF热解合成了一种包覆Co3O4的石墨烯片异质结材料(GCO-500)，并将其应用于活化PMS去除洛美沙星。

通过非溶剂诱导相分离技术和PAN衍生焊接技术，研究人员构建了垂直排列且相互连接的石墨烯骨架结构，这种结构不仅提高了热导率，还保持了材料的柔韧性和压缩性能。这项工作不仅为石墨烯基热界面材料的发展提供了新的见解，也为未来电子设备的热管理指明了方向。随着电子设备性能的不断提升和微型化趋势的加剧，这种新型石墨烯复合膜的应用前景将越来越广阔。

研究通过在两亲空心双石墨烯片（DGS）中原位封装 SnS2/MoS2 纳米粒子，制备了一种异质结构双金属 TMS 阳极。分层多孔 DGS 由内部亲水石墨烯和外部疏水石墨烯组成，可加速电子/离子迁移，并在膨胀和/或收缩过程中牢固保持合金微粒的完整性。

研究发现石墨烯的插入不仅促进了WSe2向MoS2的自发电荷转移，而且有效地将电子注入MoS2层，有利于MoS2层间电荷分离和净电荷积累。其次，带边缘附近的CP能量稳定，表明石墨烯的插入不会改变MoS2/WSe2的电子带结构。此外，由于石墨烯插入引起的有效介电屏蔽增加，激子结合能随之红移，激子跃迁能随之蓝移。

本研究创新性地应用闪蒸焦耳加热（FJH）技术，将生物质衍生的热解碳快速转化为2至5层石墨烯，突破了热解碳非晶结构限制，显著提升了其在高级氧化过程（AOPs）中的活化效率。FJH技术通过电流诱导的瞬时超高温和应力场，实现了热解碳的碳化、石墨化和剥离同步进行，同时氮原子的挥发化加速了石墨化过程。

本研究深入探讨了 FJH技术在生物质废物转化石墨烯（Flash Graphene, FG）过程中的环境影响，并与传统石墨烯制备方法进行了比较分析。研究通过实验室规模的实验，使用交流（AC-FJH）和直流（DC-FJH）闪蒸焦耳加热系统，将林业和农业残留物（如锯末、小麦秸秆、玉米秸秆和稻草）转化为FG。实验结果表明，从0.2克生物质废物中可制备出约0.02克FG，同时测量了两种过程中的材料使用、能耗和空气污染排放情况，并将数据输入生命周期评估（Life Cycle Assessment, LCA）模型进行分析。

本研究采用了创新的闪蒸焦耳加热（flash Joule heating, FJH）技术，成功合成了多孔石墨烯辅助的动态钯（Pd）催化剂，该技术通过在数毫秒内产生超高温，促进了碳前体的石墨化和多孔结构形成，为Pd提供了优异的锚定平台。开发的“一体化”系统利用这种多孔石墨烯作为支撑材料，实现了Pd2+离子的均匀锚定和原位还原，促进了氢化反应中Pd1和Pd NPs的协同效应。

研究采用冷冻干燥、浸没吸收、二次冷冻干燥和碳化处理等高效方法，精心设计和合成了具有二维/三维（2D/3D）范德华（vdWs）异质结构的还原氧化石墨烯/碳泡沫（RGO/CFs）。

本研究旨在比较硅基MOSFET和基于二维材料的MOSFET技术之间的差异，并探索如何解决二维材料在大规模集成电路中的应用难题。通过从通道工程、接触工程和介质工程三个角度对器件工程进行分析，研究团队致力于找到适用于二维材料的性能优化途径，并提出了相应的解决方案。这些方案不仅可以克服硅基器件在超过亚10纳米尺度时面临的限制，还为二维材料在未来先进技术节点上的应用提供了可能性。

本研究开发的集成自动化系统和热解-FJH技术，实现了生物质闪蒸石墨烯的连续生产，并显著降低了生产过程中的碳排放。通过优化生产过程，使用中等温度的生物质炭作为原料，避免了碳黑的添加，减少了能源消耗和碳排放。此外，所生产的闪蒸石墨烯具有高纯度和良好的应用性能，如优异的分散性、催化性能和太阳能吸收性能。这些成果不仅为生物质闪蒸石墨烯的大规模生产提供了技术基础，也为减少碳排放和推动可持续发展提供了新的思路。