周鹏
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二维材料,Nature Reviews Electrical Engineering!
本研究旨在比较硅基MOSFET和基于二维材料的MOSFET技术之间的差异,并探索如何解决二维材料在大规模集成电路中的应用难题。通过从通道工程、接触工程和介质工程三个角度对器件工程进行分析,研究团队致力于找到适用于二维材料的性能优化途径,并提出了相应的解决方案。这些方案不仅可以克服硅基器件在超过亚10纳米尺度时面临的限制,还为二维材料在未来先进技术节点上的应用提供了可能性。
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AM:2D层状材料中的可控掺杂
对于每一代半导体来说,掺杂技术问题总是被放在优先事项的首位,其决定了一种材料是否可以用于电子和光电行业。当谈到二维(2D)材料时,在p型或n型中可控地掺杂2D半导体已经面临了巨大的挑战,更不用说实现对这一过程的连续控制了。