吴子平

研究通过石墨化焊接制作了一种具有共价键的碳纳米管和石墨烯复合薄膜（CNT-gGF）。所制备的共价键 CNT-gGF 以碳纳米管焊接石墨烯层的三明治结构为骨架，具有超过纯石墨烯薄膜13000S cm-1的优异导电性。

制备的 PrGO 具有可调的氧量和负电荷，可实现可控的锂容量，避免锂过剩。更重要的是，负电性PrGO薄膜基质可产生静电力，从而调节 Li+ 的分布模式和扩散动力学，诱导出均匀稳定的富含 LiF 的 SEI 和高度保形的 Li+ 剥离/沉积行为，而不会产生锂枝晶。

因此，石墨烯薄膜具有出色的机械性能和导电性（1.2×105Sm-1）。此外，石墨烯薄膜的电磁干扰（EMI）和导热性能也优于单纯的热还原法。当厚度仅为35μm时，EMI 效能高达70dB，比 EMI 效能为 380dB/g cm-3。此外，还揭示了有效性与结构参数（厚度和密度）之间的关系。热导率可达 864Wm-1 K-1。

具有曲线和固定形态的还原石墨烯可以储存并在内部形成相互连接的气泡。因此，所获得的具有柔韧性和薄厚度的薄膜由于互连气泡中的异常多重反射而呈现出76.4 dB的极高EMI屏蔽性能，这与主要在表面上反射电磁波的屏蔽有本质的不同。此外，可靠的粗糙度使疏水涂层在表面上具有很强的附着力，并表现出稳定的防水性，即使在严重的传导中也是如此。超疏水薄膜是一种很有前途的屏障，可以解决现代电子设备的严重污染问题。