台积电
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半导体工艺的极限：1nm之战
台积电表示，当制作不同宽度的互连原型并将其电阻与铜互连进行比较时，发现宽度为15nm或更小的石墨烯互连的电阻率低于铜互连的电阻率。石墨烯的接触电阻率也比铜低四个数量级。将金属离子嵌入石墨烯中可以改善互连的电性能，使其成为下一代互连的有前途的材料。IMEC则认为石墨烯和金属的混合结构，非常有希望成为1nm的候选者。此外，IMEC也在考虑钌 (Ru)作为铜互连的替代品。
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被股神抛弃…台积电爆新危机！死敌想破头再出杀招
三星也将与外部机构合作，开发从奈米碳管和石墨烯制的EUV护膜，并计划挑选研究人员，负责为该公司自行开发的奈米石墨薄膜 (NGF) 设计量产设备。
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台媒：台积电将砸1万亿新台币在台中扩大2nm产能布局
据悉，台积电将在2nm的节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构，另外还将采用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等。其中在2D材料方面，台积电已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐步应用在晶体管上。
