北京师范大学

本研究介绍了一种新型构建跨膜电极的方法，利用石墨烯微片通过简单孵育即可自发稳定地穿透细胞膜，无需复杂的修饰或预处理。由于石墨烯的跨膜结构和优异的导电性，可以作为电子流动的跨膜隧道。

本研究开发的GO/PVDF层状膜在石化废水处理中展现出了卓越的性能，不仅提高了污染物的去除效率，而且具有优异的抗污染能力和长期稳定性。通过优化的LBL组装方法和EDA交联技术，GO/PVDF膜成功实现了对低分子量有机污染物的高效选择性分离。此外，研究还发现，适当的化学清洗和超声清洗的结合使用，能够有效恢复膜通量，同时最小化对膜结构的损害。

北京师范大学卞兆勇教授课题组研究了氮掺杂石墨烯（NG）中氮的状态对分子氧转化为过氧化氢（H2O2）的促进作用。

北京师范大学何林教授团队报道了通过在上层引入小周期的莫尔超晶格，利用莫尔的放大效应，直接在实空间成像了小转角双层石墨烯由于重构导致的局域晶格旋转，为研究范德华体系的结构重构提供了一种通用方法。除此以外，他们发现下层小转角石墨烯中的局域晶格旋转还周期性地调制了体系的能带结构，这就意味着晶格重构不仅对结构有影响，对体系的电学性质也有很强的调制作用，相应结果得到了理论计算的支持。

基于此，北京师范大学的邹应全教授团队成功地利用光刻技术实现了固态图案化rGOQDs的高效电致发光。利用光固化离子液体（IL）单体的原位聚合和光引发剂苯基双（2，4，6-三甲基苯甲酰基）氧化膦（XBPO）对GOQD混合物的光还原制备了图案化的rGOQDs。在这个过程中，光引发剂不仅引发单体的聚合，而且同时把GOQDs光还原成rGOQDs。出乎意料的是，光诱导处理能有效地去除发光二极管表面缺陷，使发光二极管具有蓝移的荧光发射和更高的色纯度。更重要的是，LEDs是基于使用光刻技术形成的光致抗蚀剂图案成功构建的。这是第一次在有源发射层上制作基于rGOQD的单色LEDs和rGOQD/光刻胶图案。

通过在双层外延石墨烯/SiC(0001)上照射高能Ar离子产生磁性和非磁性点缺陷，并使用扫描隧道显微镜（STM）和q-Plus原子力显微镜（q-Plus AFM）研究它们的原子和电子结构。在dI/dV光谱中观察到磁性杂质的强Kondo共振峰，适用的Kondo温度为314 K。磁散射产生更强的准粒子量子干涉图谱。在原子尺度表征过程中观察到磁性和非磁性缺陷之间的结构转变，从而引起原子缺陷的磁转换。同时，使用力谱发现驱动转换的原子力为 22 nN。这一发现为原子尺度上的石墨烯缺陷工程设计磁逻辑器件铺平了道路。

基于此，北京师范大学的范楼珍教授、谢文菁教授等人将对水热/溶剂热反应釜的结构、高温高压工作原理、规范操作、注意事项以及实际应用以及反应釜在纳米材料和聚合物材料等研究领域取得的重要成果和最新进展进行了概括和总结。该研究成果以“反应釜的原理、操作、注意事项及应用”为题发表在《科学通报》上。