刘阳

在该工作中，研究团队对器件进行了低温电输运的测量。通过对器件施加顶栅电压和底栅电压，样品表现出了一系列强的绝缘态（图1f-g）。通过量子霍尔效应对两栅极的电容进行标定后，研究团队将电阻通以莫尔填充数ν和垂直方向的电位移电场D展示出来（图2a）。