俞大鹏

刘开辉课题组利用CVD（气相沉积法）在1000oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60μm/s。这项重要突破的核心是把多晶铜片放置于氧化物衬底上（两者之间的间隙约为15μm）。

俞大鹏院士带领的 “纳米结构与低维物理”研究团队在大单晶石墨烯的生长方面取得新的重要进展，利用CVD方法在1000 oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60 μm/s。

刘开辉研究员带领研究生与合作者们一起，利用CVD方法在1000oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60μm/s。