任文才

研究通过操纵扫描离心浇铸氧化石墨烯薄膜的热膨胀行为，制造出了一种高晶对准石墨烯薄片结构（AGLF），它具有精确控制的薄片厚度、孔隙结构和出色的石墨烯间接触。

本文围绕高效与稳定两个方面综述了近年来表面电荷转移掺杂石墨烯的研究现状以及其在光电器件应用方面的进展。着重介绍了最新发展的高效p型和n型掺杂剂以及稳定掺杂方面的重要研究工作，概述了基于掺杂石墨烯透明电极的高性能光电器件，并根据目前面临的主要挑战展望了其未来的发展方向。

D18分会重点就“石墨烯的规模、绿色制备工艺；石墨烯的表征与物性；石墨烯的应用”三个热点主题，分会邀请了南京航空航天大学郭万林、厦门大学田中群和中国科学院深圳理工大学成会明三位院士作特邀主题报告，并邀请了来自北京大学、浙江大学、中科院大连化学物理研究所、国家纳米科学中心、天津大学、华中科技大学、清华大学深圳国际研究生院、中国科学技术大学、北京航空航天大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、东南大学等高校和科研机构的20多位教授和青年学者分享了精彩的报告。在7月11日上午，分会还组织了一场大咖云集、科研机构学者和企业家中青年科学家结合的圆桌论坛，圆桌论坛由任文才和杨全红两位教授主持，圆桌论坛嘉宾就“石墨烯的现状和未来”进行了热烈的讨论和问答互动。最后，分会评选出了4位最佳墙报展示，并现场为他们颁发了证书和奖金。

近日，电子科技大学饶云江教授、姚佰承教授和剑桥大学Yue Lin博士，中科院沈阳金属所任文才研究员合作，将工业石墨烯纳米片和光纤拉制涂层技术相结合，制作出了千米级长度的石墨烯涂层光纤，并实现了基于石墨烯涂层光纤的快速温度响应测量。

作者发展了一种基于光电共调制原理的增透掺杂策略，破解了同步提升柔性石墨烯薄膜电导和透光率的难题，从而获得了创纪录的高电/光导率比。采用这种高性能石墨烯柔性薄膜作为透明阳极，成功实现了柔性绿光OLED器件发光效率的大幅提高。其结果表明，增透掺杂为发展高性能柔性石墨烯透明导电薄膜开辟了新途径，也为基于其它碳材料和二维材料的柔性透明导电薄膜研究提供了有益借鉴。

作者展示了这些石墨薄膜在电磁干扰屏蔽的应用潜力，它显示出高达481000 dB cm2 g–1的绝对屏蔽效能，超过了之前所有报道的合成材料。

研究发现，所制备的石墨烯薄膜为单层纳米晶石墨烯，改变淬火的起始温度可以实现石墨烯晶粒尺寸从3.6nm到10.3nm的连续调控。进一步的力学、电学测试表明，相比于单晶石墨烯，3.6nm晶粒尺寸的石墨烯薄膜仍然能够保持较高的断裂强度(101GPa)与杨氏模量(576GPa)，但电导率衰减了2个数量级。除了纳米晶石墨烯薄膜外，文中报道的淬火法也能够实现在镍泡沫基底上超快速生长高质量的泡沫石墨烯。

该项研究工作由金属所刘驰副研究员和孙东明研究员提出设计构思，刘驰副研究员开展了器件制备、电学测量和数据分析工作，任文才研究员和博士生马伟实现了石墨烯的生长和转移，博士生陈茂林进行了电子显微镜等方面的表征研究。刘驰副研究员为论文的第一作者，博士生马伟为共同第一作者，孙东明研究员为论文的通讯作者。

国内石墨烯的研究一直和国际保持着一致的增长态势，不管是发文数量还是质量都走在世界的前列。青年学者的回归在很大程度上加快了中国石墨烯产业的发展，国内外一定还存在很多优秀的专家学者值得我们去好好学习，深入挖掘。大家可以关注近期材料人梳理内容~

文章提出的氧化石墨烯电解水氧化制备的方法中，硫酸预插层的过程抑制了水在阳极氧析出反应的发生，是成功制备的必要条件。在电解过程中，没有多余的氧化剂的使用，避免了金属离子的残留，也有希望实现硫酸的循环利用。其次，与传统的Hummer’s方法和K2FeO4氧化插层法相比，氧化速度提高了100倍。此外，可以通过改变硫酸的浓度来调节石墨烯的氧化程度，通过改变超声时间与功率来调节层数与片层尺寸。