二极管
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微电子学院张嘉炜、宋爱民团队在高峰谷比的石墨烯共振隧穿二极管方面取得新进展
在遵循了该器件设计规则、遏制了边缘掺杂效应之后,本文制备的石墨烯共振隧穿二极管在室温下峰谷比高达14.9,为以往报道结果的至少3.8倍。该结果将有助于开发基于石墨烯室温量子器件的超高频振荡器等。
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西工大博士生在Science与Nature两大杂志子刊上发表重要文章
同样是在无带隙的石墨烯二维材料上,通过石墨烯的功能化实现二极管的构筑。该二极管的设计受到了传统半导体pn结的启发,将两层带有相反电荷的功能化的氧化石墨烯薄膜面对面接触,可迁移的对离子在熵驱动下由于浓度梯度相互扩散,从而在界面处建立内建电场,调控电子的不对称输运。