不来梅大学
-
张乃庆 AFM:用于Li+/Mg2+共插层的MoS2和石墨烯交替堆叠范德华异质结构
1)石墨烯单层被嵌入MoS2层间以构建范德华异质结构 (MoS2/G VH)。该操作将离子通道的构建从原始的两个MoS2单层的层叠转变为MoS2单层与石墨烯单层的层叠,从而大大降低了离子扩散能垒。
1)石墨烯单层被嵌入MoS2层间以构建范德华异质结构 (MoS2/G VH)。该操作将离子通道的构建从原始的两个MoS2单层的层叠转变为MoS2单层与石墨烯单层的层叠,从而大大降低了离子扩散能垒。
电话:134 0537 7819
邮箱:87760537@qq.com