晶圆

团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。

这种堆叠转移方法可以促进基于石墨烯的范德华超晶格的制造并加速功能器件的应用。

复杂的制造工艺与当今半导体制造标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，利用 Graphenea 石墨烯，最终良率达到 99.9%，在测量的 2560 个器件中生产出了 2558 个器件跨越 5 个微芯片。此外，工艺的均匀性很高，器件和芯片之间的电阻变化很小。

该方法的特点是对铜晶圆表面进行均匀氧化，并旋涂聚双酚A碳酸脂（PC)以及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)作为转移媒介将石墨烯与铜晶圆机械“干法”分离，之后采用高分子共混策略实现石墨烯与目标衬底的无损动态辊压贴合，并在转移媒介中再混合低玻璃化转变温度的聚碳酸亚丙酯（PPC）促进石墨烯与目标衬底的共形接触，最终利用有机溶剂去除高分子转移媒介。

这项研究的发现可以扩展到开发一个复杂的基于石墨烯的光电设备库，例如调制器、光电探测器和传感器。研究人员的工作将支持基于石墨烯的光子学设备的工业应用，并为下一代数据通信和电信应用铺平道路。

开放请求的PF 2用于在液体和生物材料中传感。PF2包括金（50纳米）触点、石墨烯图案和可选的Ti、Ni或Al沉积、可选的Al2O3封装（50纳米）、可选的聚合物封装（200纳米）和可选的开口。感兴趣的客户的指南和设计规则、起始成本以及MPW运行日历可在我们网站的MPW页面上找到。

北京大学刘忠范教授、苏州大学孙靖宇、Lizhen Huang、国家纳米科学中心高腾以及中国石油大学(华东) Wen Zhao等使用界面解耦化学气相沉积策略演示了在Si晶圆上无金属催化剂的准悬浮石墨烯生长。

北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组与国防科技大学秦石乔、朱梦剑课题组合作，设计了一种梯度表面能调控（gradient surface energy modulation）的复合型转移媒介，可控调节转移过程中的表界面能，保证了晶圆级超平整石墨烯向目标衬底（SiO2/Si、蓝宝石）的干法贴合与无损释放，得到了晶圆级无损、洁净、少掺杂均匀的超平整石墨烯薄膜，展示了均匀的高迁移率器件输运性质，观测到室温量子霍尔效应及分数量子霍尔效应，并构筑了4英寸晶圆级石墨烯热电子发光阵列器件，在近红外波段表现出显著的辐射热效应。该转移方法具有普适性，也适用于其它晶圆级二维材料（如氮化硼）的转移。